Reliability assessment of GaAs and InP THz mixers and frequency multipliers fabricated on 3" wafers
Paper i proceeding, 2019

We report on the developments in this two-yearEuropean Space Agency funded project that aims at performing a preliminary reliability study of 300 GHz InP heterostructure barrier varactor diode multipliers and 1.2 THz GaAs Schottky diode mixers. Fabrication of the monolithically integrated circuits will be done on 3” wafers usingestablished III-V processing. The reliability tests that will be performed include thermal and electrical step-stress studies, as well as shock, humidity and accelerated lifetime tests. We will present results and analysis of these experiments.

Författare

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Vladimir Drakinskiy

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Daniel Heinerås

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Divya Jayasankar

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Peter Sobis

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Vaclav Valenta

European Space Research and Technology Centre (ESA ESTEC)

Marie Geneviev

European Space Research and Technology Centre (ESA ESTEC)

Fernando Martinez Martin

European Space Research and Technology Centre (ESA ESTEC)

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

International Symposium on Space Terahertz Technology

30th International Symposium on Space Terahertz Technology
Gothenburg, Sweden,

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Kollberglaboratoriet

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Senast uppdaterat

2020-07-30