Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2020
phase noise
GaN technology
Gallium nitride
recovery time
MODFETs
robust low-noise amplifier (LNA)
HEMTs
Stress
passivation
Passivation
Logic gates
Författare
Tongde Huang
Nanjing University of Science and Technology
Olle Axelsson
Saab
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 67 6 2297-2303 9080568Ämneskategorier
Bearbetnings-, yt- och fogningsteknik
Annan materialteknik
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TED.2020.2986806