Enhanced high-frequency performance of top-gated graphene FETs due to substrate-induced improvements in charge carrier saturation velocity
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2021
graphene
optical phonons
maximum frequency of oscillation
Field-effect transistors (FETs)
saturation velocity
transit frequency
Författare
Muhammad Asad
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Kjell Jeppson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Marlene Bonmann
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN)
Vol. 68 2 899-902Flexibla terahertz detektorer i grafen
Vetenskapsrådet (VR), 2018-01-01 -- 2021-12-31.
Kolbaserat höghastighet 3D GaN elektroniksystem
Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF), 2014-03-01 -- 2019-06-30.
Graphene Core Project 3 (Graphene Flagship)
Europeiska kommissionen (EU), 2020-04-01 -- 2023-03-31.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik (SO 2010-2017, EI 2018-)
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TED.2020.3046172