Sub-mW Cryogenic InP HEMT LNA for Qubit Readout
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2024
low power
indium phosphide high-electronmobility
qubit.
(LNA)
low-noise amplifier
transistor (InP HEMT)
Cryogenic
Författare
Yin Zeng
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jorgen Stenarson
Low Noise Factory AB
Peter Sobis
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Niklas Wadefalk
Low Noise Factory AB
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
0018-9480 (ISSN) 15579670 (eISSN)
Vol. 72 3 1606-1617Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/TMTT.2023.3312471