Characterization of Trapping Effects Related to Carbon Doping Level in AlGaN Back-Barriers for AlGaN/GaN HEMTs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2024
MODFETs
HEMTs
Aluminum gallium nitride
Wide band gap semiconductors
Epitaxial growth
AlGaN/GaN
back-barrier
Logic gates
Electrons
short channel effect (SCE)
dispersion
high electron mobility transistors (HEMTs)
double heterostructure
Författare
Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Ding-Yuan Chen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
SweGaN AB
J. T. Chen
SweGaN AB
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Vanya Darakchieva
Lunds universitet
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 71 6 3596-3602Ämneskategorier (SSIF 2011)
Atom- och molekylfysik och optik
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/TED.2024.3392177