25 Gbaud VCSEL with Reduced Temperature Dependence
Paper i proceeding, 2024
We present the design and performance of a 25 Gbaud 850 nm VCSEL with reduced temperature dependence of threshold current and modulation bandwidth from -40 to 125 degrees Celsius using different composition InGaAs QWs in the active region to spectrally broaden the optical gain.
dynamics
vertical-cavity surface-emitting laser
temperature dependence
Författare
Hans Kaimre
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Alexander Grabowski
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
ILOOMINA
Johan Gustavsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
NVIDIA
Anders Larsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
NVIDIA
Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
08999406 (ISSN)
9798350372991 (ISBN)
29th IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2024
Orlando, USA,
Orlando, USA,
Optiska länkar för krävande datormiljöer
Stiftelsen för Strategisk forskning (SSF) (CHI19-0004), 2021-01-01 -- 2025-12-31.
Ämneskategorier
Telekommunikation
Atom- och molekylfysik och optik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/ISLC57752.2024.10717347