Fabrication and development of InP HEMTs on silicon substrate based on a new integration technique
Paper i proceeding, 2026
Hall Bar
Silicon Substrate
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
InP High Electron Mobility Transistors
Integration Of Techniques
High Electron Mobility Transistors
Electron Beam Lithography
Sheet Resistance
III-V semiconductor materials
Fabrication Process
Contact Resistance
Författare
Francesco Fortunato
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Nelson Rebelo
Low Noise Factory AB
Claire Besancon
III-V Lab
Florence Martin
III-V Lab
Bruno Ghyselen
Soitec SA
Jean Decobert
III-V Lab
Johan Bergsten
Low Noise Factory AB
Helena Rodilla
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)
979-8-3503-7883-2 (ISBN)
Helsinki, Finland,
Chips JU 2023 RIA Move2THz
VINNOVA (2024-00556), 2024-06-01 -- 2027-05-30.
Sustainable Indium Phosphide (InP) platform and ecosystem upscaling, enabling future mass market (sub-)THz applications (Move2THz)
Europeiska kommissionen (EU) (EC/HE/101139842), 2024-05-01 -- 2027-04-30.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Myfab (inkl. Nanotekniklaboratoriet)
Ämneskategorier (SSIF 2025)
Annan elektroteknik och elektronik
Nanoteknisk elektronik
DOI
10.1109/IRMMW-THz61557.2025.11320086