Fabrication and development of InP HEMTs on silicon substrate based on a new integration technique
Paper i proceeding, 2025
High Electron Mobility Transistors
InP High Electron Mobility Transistors
Contact Resistance
Fabrication Process
Sheet Resistance
Hall Bar
Electron Beam Lithography
Integration Of Techniques
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
Silicon Substrate
III-V semiconductor materials
Författare
Francesco Fortunato
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Nelson Rebelo
Low Noise Factory AB
Claire Besancon
III-V Lab
Florence Martin
III-V Lab
Bruno Ghyselen
Soitec SA
Jean Decobert
III-V Lab
Johan Bergsten
Low Noise Factory AB
Helena Rodilla
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)
979-8-3503-7883-2 (ISBN)
Helsinki, Finland,
Chips JU 2023 RIA Move2THz
VINNOVA (2024-00556), 2024-06-01 -- 2027-05-30.
Sustainable Indium Phosphide (InP) platform and ecosystem upscaling, enabling future mass market (sub-)THz applications (Move2THz)
Europeiska kommissionen (EU) (EC/HE/101139842), 2024-05-01 -- 2027-04-30.
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Myfab (inkl. Nanotekniklaboratoriet)
Ämneskategorier (SSIF 2025)
Annan elektroteknik och elektronik
Nanoteknisk elektronik
DOI
10.1109/IRMMW-THz61557.2025.11320086