DC and RF performance of 0.2-0.4µm gate length InAs/AlSb HEMTs
Paper i proceeding, 2007
Författare
Malin Borg
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Eric Lefebvre
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Mikael Malmkvist
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Ludovic Desplanque
Xavier Wallart
Yannick Roelens
Gilles Dambrine
Alain Cappy
Sylvain Bollaert
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Proc. 19th Indium Phosphide and Related Materials
pp. 67-70
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik