DC and RF performance of 0.2-0.4µm gate length InAs/AlSb HEMTs
Paper i proceeding, 2007

Författare

Malin Borg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Eric Lefebvre

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Mikael Malmkvist

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Ludovic Desplanque

Xavier Wallart

Yannick Roelens

Gilles Dambrine

Alain Cappy

Sylvain Bollaert

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Proc. 19th Indium Phosphide and Related Materials

pp. 67-70

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08