Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation
Paper i proceeding, 2007

Författare

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Eric Lefebvre

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Malin Borg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Mikael Malmkvist

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Ludovic Desplanque

Xavier Wallart

Yannick Roelens

Gilles Dambrine

Alain Cappy

Sylvain Bollaert

Proc. European Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits

pp. 137-140

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08