Thermal characterization of the intrinsic noise parameters for AlGaN/GaN HEMTs
Paper i proceeding, 2008

The noise parameters of AlGaN/GaN-HEMTs are measured between 298 K and 423 K. The temperature dependent access resistances are de-embedded and the intrinsic noise parameters are studied as a function of temperature. It is shown that the parasitic access resistances are limiting the highfrequency noise performance of the AlGaN/GaN-HEMT.The intrinsic noise sources are extracted and a noise model is derived and verified for a MMIC amplifier.

Noise

gallium-nitride

thermal

Författare

Mattias Thorsell

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Martin Fagerlind

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

International Microwave Symposium Digest, 2008, Atlanta

0149-645X (ISSN)

463-466

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

ISBN

978-1-4244-1781-0

Mer information

Skapat

2017-10-08