Parameter extraction for bipolar transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1998

Different methods of extracting the DC Gummel-Poon bipolar transistor model parameters are reviewed. First the shortcomings of the classical extraction schemes for the intrinsic model are presented together with some improved procedures. Finally the extraction of the series resistances is addressed.

Författare

Fredrik Ingvarson

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Kjell Jeppson

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik

Microelectronic Engineering

0167-9317 (ISSN)

Vol. 40 187-94

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1016/S0167-9317(98)00270-6