Transient Simulation of Microwave SiC MESFETs With Improved Trap Models
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2010
Measured and simulated transient characteristics of
a SiC metal–semiconductor field-effect transistor are compared. Self-heating, gate tunneling, substrate, and surface traps are taken into account in the simulations. By explicitly filling surface traps at the vicinity of the gate during pinchoff, close correspondence between simulated and measured gate lags is achieved.
technology computer-aided design (TCAD)
silicon carbide
microwave transistor
Charge carrier processes
MESFET power amplifiers
Författare
Hans Hjelmgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 57 3 729-732 5404423Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TED.2009.2039679