Analysis of the High Frequency Spreading Resistance for Surface Channel Planar Schottky Diodes
Paper i proceeding, 2010
Spreading resistance of a planar Schottky diode is
studied as a function of the frequency and buffer layer thickness. The study shows an increase of effective high frequency resistance for a buffer layer thicker than skin depth, due to the parasitic capacitances induced current in buffer layer.
electromagnetic coupling
resistance
Schottky diodes
skin effect
geometric modeling
submillimeter wave diodes
submillimeter wave technology
Current distribution
Författare
Aik-Yean Tang
Gigahertzcentrum
Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik
Peter Sobis
Gigahertzcentrum
Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik
Huan Zhao Ternehäll
Gigahertzcentrum
Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik
Vladimir Drakinskiy
Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik
Tomas Bryllert
Gigahertzcentrum
Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik
Jan Stake
Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik
Gigahertzcentrum
35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
5-10 Sept. 2010 1-2
978-1-4244-6655-9 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/ICIMW.2010.5612850
ISBN
978-1-4244-6655-9