An X-band low phase noise AlGaN-GaN-HEMT MMIC push-push oscillator
Paper i proceeding, 2011
An X-band low phase noise AlGaN-GaN HEMT MMIC push-push oscillator is designed, fabricated, and characterized. The oscillator is based on two common gate Colpitts oscillators. A minimum phase noise of -101 dBc at 100 kHz offset is achieved. The MMIC was fabricate in an 'in-house process' at Chalmers University of Technology.
AlGaN-GaN HEMT
oscillator
MMIC
Författare
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Szhau Lai
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Dan Kuylenstierna
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jonathan Felbinger
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
K. Andersson
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
33rd IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium: Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other Compound Semiconductors, CSICS 2011, Waikoloa, 16-19 October 2011
1550-8781 (ISSN)
978-161284712-2 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/CSICS.2011.6062492
ISBN
978-161284712-2