Applications of aluminium nitride films deposited by reactive sputtering to silicon-on-insulator materials
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 1996
Författare
Stefan Bengtsson
Chalmers tekniska högskola
Mats Bergh
Johanneberg Science Park AB
Manolis Choumas
Institutionen för fasta tillståndets elektronik
Christian Olesen
Chalmers
Kjell Jeppson
Institutionen för fasta tillståndets elektronik
Japanese Journal of Applied Physics
0021-4922 (ISSN) 13474065 (eISSN)
Vol. 35 8R 4175-4181Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1143/JJAP.35.4175