Electroluminescence from silicon p-n junctions prepared by wafer bonding
Paper i proceeding, 1998

We report on electro- and photoluminescence from silicon p-n diodes formed by hydrophobic wafer bonding. Four main spectral features associated with the bonded interface are detected at photon energies between 0.8 and 0.9 eV. Two of these signals are identified as the dislocation-related signals D1 and D2 while two peaks at 0.83 eV and 0.89 eV remain unidentified. However, we observe a signal similar to the 0.83 eV signal in polysilicon and at the junction of a silicon bicrystal

dislocations

wafer bonding

semiconductor diodes

bicrystals

photoluminescence

electroluminescence

elemental semiconductors

p-n junctions

silicon

surface chemistry

Författare

Einar Sveinbjörnsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

Stefan Bengtsson

Institutionen för fasta tillståndets elektronik

Forskning Andra publikationer

J. Weber

N. Keskitalo

Proceedings of the Fourth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications

264-

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE