Thermal Analysis of III-V HBV Diode Structures on InP, GaAs, Silicon and Diamond Substrates
Paper i proceeding, 2013
Thermal analysis of In0.53Ga0.47As and GaAs Heterostructure Barrier Varactors diodes on InP, GaAs, silicon and diamond substrates are presented. The physical dimensions of the analysed structures correspond to the dimensions of a high power integrated HBV frequency multipliers for W-band (70 – 110 GHz). It is shown that material transfer to substrates with higher thermal conductivity will reduce thermal resistance by 21 % and approximately 50 % for In0.53Ga0.47As and GaAs HBVs, respectively. Thus, an enhanced thermal handling capability of the HBV multiplier sources can be obtained.
Författare
Aleksandra Malko
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Aik-Yean Tang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Huan Zhao Ternehäll
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)
1-2Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/IRMMW-THz.2013.6665403