Optimum Barrier Thickness Study for the Heterostructure Barrier Varactror Diode
Paper i proceeding, 2006
This experimental study aims at finding the optimum barrier thickness in heterostructure barrier varactor (HBV) diodes, to improve the diode efficiency especially for high-power frequency multiplier applications. The influence of barrier thickness on the conduction current is investigated for different biases and device temperatures. We found that for an InP-based HBV, there is an optimum barrier thickness range between 10 to 14 nm which causes the lowest possible leakage current.
HBV
Heterostructure barrier varactor
Frequency multipliers
Författare
Arezoo Emadi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mahdad Sadeghi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
WOCSDICE 2006
1652-0769 (ISSN)
55-57Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik