[J]. Effect of AlN nucleation layer on the structural properties of bulk GaN grown on sapphire by molecular-beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Författare
Stefan Davidsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Fredrik Fälth
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Xinju Liu
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Thorvald Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Journal of applied physics
Vol. 98 1 16109-
Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik