Transient Simulation of Microwave SiC MESFETs With Improved Trap Models
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2010

Measured and simulated transient characteristics of a SiC metal–semiconductor field-effect transistor are compared. Self-heating, gate tunneling, substrate, and surface traps are taken into account in the simulations. By explicitly filling surface traps at the vicinity of the gate during pinchoff, close correspondence between simulated and measured gate lags is achieved.

technology computer-aided design (TCAD)

silicon carbide

microwave transistor

Charge carrier processes

MESFET power amplifiers

Författare

Hans Hjelmgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE Transactions on Electron Devices

0018-9383 (ISSN)

Vol. 57 3 729-732

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/TED.2009.2039679

Mer information

Skapat

2017-10-07