Vertical scaling of gate-to-channel distance for a 70 nm InP pseudomorphic HEMT technology
Paper i proceeding, 2005

Författare

Malin Borg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Anders Mellberg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Proceed. of Conf on InP and Related Materials (IPRM'05)

204-207

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06