High field effect mobility in 6H-SiC MOSFETs with gate oxides grown in alumina environment
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

Materials Science Forum

Vol. 483-485 837-840

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06