High field effect mobility in 6H-SiC MOSFETs with gate oxides grown in alumina environment
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Författare
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Gudjon Gudjonsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Halldor Olafsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Thomas Rödle
Hendrikus Jos
Materials Science Forum
Vol. 483-485 837-840
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik