DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs
Paper i proceeding, 2010
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Ludovic Desplanque
Université de Lille
Xavier Wallart
Université de Lille
H. Rodilla
Universidad de Salamanca
J. Mateos
Universidad de Salamanca
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Proceedings. 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2010; Kagawa; 31 May 2010 through 4 June 2010
1092-8669 (ISSN)
321-324978-142445920-9 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/ICIPRM.2010.5516313
ISBN
978-142445920-9