Analysis of the High Frequency Spreading Resistance for Surface Channel Planar Schottky Diodes
Paper i proceeding, 2010

Spreading resistance of a planar Schottky diode is studied as a function of the frequency and buffer layer thickness. The study shows an increase of effective high frequency resistance for a buffer layer thicker than skin depth, due to the parasitic capacitances induced current in buffer layer.

electromagnetic coupling

resistance

Schottky diodes

skin effect

geometric modeling

submillimeter wave diodes

submillimeter wave technology

Current distribution

Författare

Aik-Yean Tang

GigaHertz Centrum

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Peter Sobis

GigaHertz Centrum

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Huan Zhao Ternehäll

GigaHertz Centrum

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Vladimir Drakinskiy

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Tomas Bryllert

GigaHertz Centrum

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

Jan Stake

Chalmers, Teknisk fysik, Fysikalisk elektronik

GigaHertz Centrum

35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves

1-2

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/ICIMW.2010.5612850

ISBN

978-1-4244-6655-9