Threading Dislocation Blocking by Dilute Nitrides in Metamorphic Structures on GaAs Grown by MBE
Paper i proceeding, 2010

Threading dislocation blocking by incorporating nitrogen in metamorphic InGaAs buffers on GaAs grown by MBE is demonstrated. This results in large enhancement of photoluminescence intensity from the metamorphic quantum wells.

threading dislocation

metamorphic

dilute nitride

Författare

Yuxin Song

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Zonghe Lai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Forskning Andra publikationer

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Forskning Andra publikationer

16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy

Ämneskategorier

Telekommunikation

Mer information

Skapat

2017-10-06

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE