InGaAs/InAlAs/AlAs Heterostructure Barrier Varactors on Silicon Substrate
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011
We present the results of a study on epitaxial transfer
of InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) materials onto a silicon substrate employing the low-temperature plasma activated bonding technique. The test diodes fabricated on the bonded samples exhibit symmetric electrical characteristics, over the temperature range of 25 ˚C–165 ˚C, and show no degradation compared to previously reported InP-based diodes. Moreover, the onset temperature for debonding, the effective barrier height extracted from the measured data, and the maximum voltage of the HBVs for a current density of 100 A/cm2 were extracted to be 260 ˚C, 0.56 eV, and 10.5 V, respectively.
III–V semiconductors.
Epitaxial transfer
wafer bonding
integrated circuits
millimeter wave devices
Författare
Mohammad Hadi Tavakoli Dastjerdi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Anke Sanz-Velasco
Chalmers, Teknisk fysik, Elektronikmaterial
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Erik Kollberg
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Mahdad Sadeghi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN) 15580563 (eISSN)
Vol. 32 2 140-142 5660070Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/LED.2010.2090335