InGaAs/InAlAs/AlAs Heterostructure Barrier Varactors on Silicon Substrate
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011

We present the results of a study on epitaxial transfer of InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) materials onto a silicon substrate employing the low-temperature plasma activated bonding technique. The test diodes fabricated on the bonded samples exhibit symmetric electrical characteristics, over the temperature range of 25 ˚C–165 ˚C, and show no degradation compared to previously reported InP-based diodes. Moreover, the onset temperature for debonding, the effective barrier height extracted from the measured data, and the maximum voltage of the HBVs for a current density of 100 A/cm2 were extracted to be 260 ˚C, 0.56 eV, and 10.5 V, respectively.

III–V semiconductors.

Epitaxial transfer

wafer bonding

integrated circuits

millimeter wave devices

Författare

Mohammad Hadi Tavakoli Dastjerdi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Anke Sanz-Velasco

Chalmers, Teknisk fysik, Elektronikmaterial och system

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Erik Kollberg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

IEEE Electron Device Letters

0741-3106 (ISSN)

Vol. 32 2 140-142 5660070

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/LED.2010.2090335