Investigation of metamorphic InGaAs quantum wells using N-incorporated buffer on GaAs grown by MBE
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011
Dislocations
Molecular beam epitaxy
Semiconducting III-V materials
Författare
Yuxin Song
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Shu Min Wang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Cao Xiaohui
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Zonghe Lai
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Mahdad Sadeghi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Journal of Crystal Growth
0022-0248 (ISSN)
Vol. 323 1 21-25Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Materialvetenskap
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.12.048