An X-band low phase noise AlGaN-GaN-HEMT MMIC push-push oscillator
Paper i proceeding, 2011

An X-band low phase noise AlGaN-GaN HEMT MMIC push-push oscillator is designed, fabricated, and characterized. The oscillator is based on two common gate Colpitts oscillators. A minimum phase noise of -101 dBc at 100 kHz offset is achieved. The MMIC was fabricate in an 'in-house process' at Chalmers University of Technology.

AlGaN-GaN HEMT

oscillator

MMIC

Författare

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Szhau Lai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Dan Kuylenstierna

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jonathan Felbinger

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

K. Andersson

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

33rd IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium: Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other Compound Semiconductors, CSICS 2011, Waikoloa, 16-19 October 2011

1550-8781 (ISSN)

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/CSICS.2011.6062492

ISBN

978-161284712-2