Spatial variarion of hole eigen energies in Ge/Si quantum wells
Paper i proceeding, 2011

Ge quantum well (QW) structures were prepared through Si-capping of 3.3 ML of Ge by MBE on p +-(001) Si substrates at a growth temperature of 550°C. The spatial variation of hole eigen energies in the QW were revealed by DLTS. Depending on the position on the wafer surface, the hole emission may be imposed by a lateral quantum confinement effect. Results of a study by HRTEM methods demonstrate pronounced fluctuations of the QW thickness and variations of the strain field in the QW.

DLTS

HRTEM

Ge/Si

QWs

MBE

Författare

M. Kaniewska

Instytut Technologii Elektronowej

Olof Engström

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

A. Karmous

Universitat Stuttgart

O. Kirfel

Universitat Stuttgart

E Kasper

Universitat Stuttgart

Bahman Raeissi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Johan Piscator

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

G Zaremba

Instytut Technologii Elektronowej

M Kaczmarczyk

Instytut Technologii Elektronowej

M Wzorek

Instytut Technologii Elektronowej

A Czerwinsky

Instytut Technologii Elektronowej

B Surma

Instytutu Technologii Materialow Elektronicznych w Warszawie

A Wnuk

Instytutu Technologii Materialow Elektronicznych w Warszawie

AIP Conference Proceedings

0094-243X (ISSN) 1551-7616 (eISSN)

Vol. 1399 293-294

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Övrig annan teknik

DOI

10.1063/1.3666369

ISBN

978-073541002-2