Planar InAs/AlSb HEMTs With Ion-Implanted Isolation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
ion implantation
MMIC
InAs/AlSb high-electron-mobility transistor
field-effect transistors
low
power
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
A. Hallen
Kungliga Tekniska Högskolan (KTH)
L. Desplanque
Lille I: Universite des Sciences et Technologies de Lille
X. Wallart
Lille I: Universite des Sciences et Technologies de Lille
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN) 15580563 (eISSN)
Vol. 33 4 510-512 6163342Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/led.2012.2185480