Development of a 557 GHz GaAs monolithic membrane-diode mixer
Paper i proceeding, 2012
We present the development of a monolithically integrated 557 GHz membrane Schottky diode mixer. RF test shows state-of-the-art performance with an optimum receiver noise temperature below 1300 K DSB and an estimated mixer DSB conversion loss of 9 dB and a mixer DSB noise temperature of 1100 K including all losses.
membrane circuits
submillimeter wave mixers
Schottky diodes
receivers
Författare
Huan Zhao Ternehäll
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Gigahertzcentrum
Vladimir Drakinskiy
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Gigahertzcentrum
Peter Sobis
Gigahertzcentrum
Johanna Hanning
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Gigahertzcentrum
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Aik-Yean Tang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Gigahertzcentrum
Jan Stake
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
10928669 (ISSN)
102-1059781467317252 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/ICIPRM.2012.6403330
ISBN
9781467317252