Development of a 557 GHz GaAs monolithic membrane-diode mixer
Paper i proceeding, 2012

We present the development of a monolithically integrated 557 GHz membrane Schottky diode mixer. RF test shows state-of-the-art performance with an optimum receiver noise temperature below 1300 K DSB and an estimated mixer DSB conversion loss of 9 dB and a mixer DSB noise temperature of 1100 K including all losses.

membrane circuits

submillimeter wave mixers

Schottky diodes

receivers

Författare

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

Vladimir Drakinskiy

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

Peter Sobis

GigaHertz Centrum

Johanna Hanning

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Aik-Yean Tang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

Jan Stake

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

1092-8669 (ISSN)

102-105

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/ICIPRM.2012.6403330

ISBN

9781467317252

Mer information

Skapat

2017-10-07