Cryogenic InAs/AlSb HEMT Wideband Low-Noise IF Amplifier for Ultra-Low-Power Applications
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012
low-power
Cryogenic
low-noise amplifier (LNA)
InAs/AlSbHEMT
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Niklas Wadefalk
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Morteza Abbasi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
L. Desplanque
Lille I: Universite des Sciences et Technologies de Lille
X. Wallart
Lille I: Universite des Sciences et Technologies de Lille
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
1531-1309 (ISSN)
Vol. 22 3 144-146Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/LMWC.2011.2182637
PubMed
25391539