DC, RF and noise performance of InAs/AlSb HEMTs with in situ CVD SiNx-film for early-protection against oxidation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013
Chemical vapor deposition (CVD)
Passivation
Oxidation
Leakage-current
InAs/AlSb high electron mobility transistor (HEMT)
In situ
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Eric Lefebvre
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Martin Fagerlind
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
L. Desplanque
Université de Lille
X. Wallart
Université de Lille
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Solid-State Electronics
0038-1101 (ISSN)
Vol. 87 85-89Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.sse.2013.06.008