Wafer bondig for integrated III-V frequency multipliers on silicon
Paper i proceeding, 2013

In this paper low temperature (LT) plasma assisted wafer bonding for integration of an InGaAs/InAlAs/AlAs epitaxial strucutre is utilised to fabricate a heterostrucutre barrier varactor (HBV). Due to its nonlinear properties the HBV generates only odd harmonics of the input signal, thus the device can be used as a frequency multiplier. The silicon serves as the substrate for the microstrip circuitry.

Författare

Aleksandra Malko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Conference on Wafer Bonding for Microsystems 3D- and Wafer Level Integration

75 - 76

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Annan teknik

Annan elektroteknik och elektronik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Mer information

Skapat

2017-10-08