Cryogenic DC Characterization of InAs/Al80Ga20Sb Self-Switching Diodes
Paper i proceeding, 2013

DC characterization of an InAs/Al80Ga20Sb self-switching diode for THz detection is presented at 300 K and 6 K. Compared to 300 K, an enhancement of the diode I-V nonlinearity and associated responsivity was observed under zero-bias conditions at 6 K. The intrinsic responsivity was estimated to 490 V/W at 300 K and 4400 V/W at 6 K.

diode

self-switching

detector

SSD

THz

InAs

Författare

Andreas Westlund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Giuseppe Moschetti

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

L. Desplanque

Université de Lille

X. Wallart

Université de Lille

2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

1092-8669 (ISSN)

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/ICIPRM.2013.6562599

Publikationsdata kopplat till DOI

ISBN

978-1-4673-6131-6

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se eller via telefon 031-772 3744.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Forskningsprojekt på chalmers.se

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE