An LC VCO for High Power Millimeter-Wave Signal Generation
Paper i proceeding, 2013
The paper presents a G band second harmonic VCO in 0.25um InP DHBT technology. The VCO uses a cross-coupled topology with a capacitive emitter degeneration and a second order tank to peak second harmonic signal. The VCO presents a tuning range from 169-176GHz and delivers a peak power of -2.7dBm, biased at Vc=4V and Ic=46mA. To the best of authors' knowledge, this is the first HBT cross-coupled VCO designed above 100 GHz.
Författare
Szhau Lai
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Dan Kuylenstierna
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Rumen Kozhuharov
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Bertil Hansson
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
35th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium: Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other Compound Semiconductors, CSICS 2013, Monterey, United States, 13-16 October 2013
1550-8781 (ISSN)
978-1-4799-0583-6 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Nanoteknik
DOI
10.1109/CSICS.2013.6659216
ISBN
978-1-4799-0583-6