An LC VCO for High Power Millimeter-Wave Signal Generation
Paper i proceeding, 2013

The paper presents a G band second harmonic VCO in 0.25um InP DHBT technology. The VCO uses a cross-coupled topology with a capacitive emitter degeneration and a second order tank to peak second harmonic signal. The VCO presents a tuning range from 169-176GHz and delivers a peak power of -2.7dBm, biased at Vc=4V and Ic=46mA. To the best of authors' knowledge, this is the first HBT cross-coupled VCO designed above 100 GHz.

Författare

Szhau Lai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Dan Kuylenstierna

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Rumen Kozhuharov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Bertil Hansson

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

35th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium: Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other Compound Semiconductors, CSICS 2013, Monterey, United States, 13-16 October 2013

1550-8781 (ISSN)

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Nanoteknik

DOI

10.1109/CSICS.2013.6659216

ISBN

978-1-4799-0583-6

Mer information

Skapat

2017-10-07