Comparison of shallow-mesa InAs/AlSb HEMTs with and without early-protection for long-term stability against Al(Ga)Sb oxidation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2014
HEMT
low-power
SiN passivation
InAs/AlSb
oxidation
Författare
Eric Lefebvre
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mikael Malmkvist
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
L. Desplanque
Université de Lille
X. Wallart
Université de Lille
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Semiconductor Science and Technology
0268-1242 (ISSN) 1361-6641 (eISSN)
Vol. 29 3 035010Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1088/0268-1242/29/3/035010