Effect of buffer design on structural and electrical properties of InAs films grown on GaAs substrates
Paper i proceeding, 2014

Different buffer structures were grown by molecular beam epitaxy (MBE) to accommodate the large lattice mismatch of InAs with GaAs substrate. A novel graded digital superlattice (GDSL) buffer design was proposed and compared with the common one-step buffer and linear alloy graded (LAG) buffer designs. Effect of buffer structures on structural and electrical properties of the InAs films was investigated. High quality InAs films were obtained on GaAs substrates.

InAs films

superlatice

MBE

Författare

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik

Forskning Andra publikationer

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Yuxin Song

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Forskning Andra publikationer

Likun Aai

Zonghe Lai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Forskning Andra publikationer

the 41st international symposium on compound semiconductors, Montepillier, France

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Materialvetenskap

Ämneskategorier

Materialteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Mer information

Skapat

2017-10-07

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE