Phase transition of bismuth telluride thin films grown by MBE
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2014

A previously unreported phase transition between Bi2Te3 and Bi4Te3 in bismuth telluride grown by molecular beam epitaxy is recorded via XRD, AFM, and SIMS observations. This transition is found to be related to the Te/Bi beam equivalent pressure (BEP) ratio. BEP ratios below 17 favor the formation of Bi4Te3 while Bi2Te3 is formed at higher ratios. Transport measurements reveal that Bi2Te3 has higher electron mobility than Bi4Te3.

Författare

Attila Fülöp

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Yuxin Song

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Sophie Charpentier

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Peixiong Shi

Danmarks Tekniske Universitet (DTU)

Maria Ekström

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

luca galletti

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Riccardo Arpaia

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Thilo Bauch

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Floriana Lombardi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Kvantkomponentfysik

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Applied Physics Express

1882-0778 (ISSN)

Vol. 7 4 Art. no. 045503-

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Styrkeområden

Materialvetenskap

DOI

10.7567/APEX.7.045503

Mer information

Senast uppdaterat

2018-02-28