Optimum Barrier Thickness Study for the Heterostructure Barrier Varactror Diode
Paper i proceeding, 2006

This experimental study aims at finding the optimum barrier thickness in heterostructure barrier varactor (HBV) diodes, to improve the diode efficiency especially for high-power frequency multiplier applications. The influence of barrier thickness on the conduction current is investigated for different biases and device temperatures. We found that for an InP-based HBV, there is an optimum barrier thickness range between 10 to 14 nm which causes the lowest possible leakage current.

HBV

Heterostructure barrier varactor

Frequency multipliers

Författare

Arezoo Emadi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

WOCSDICE 2006

1652-0769 (ISSN)

55-57

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik