Heterogeneous Integration of Terahertz Diode Circuits
Paper i proceeding, 2015

We present an overview of the research made on integrated diode circuits for terahertz applications. This includes progress on heterogeneous integration of heterostructure barrier varactor multipliers and Schottky diode mixers on silicon substrate. The described technology uses silicon-on-insulator (SOI) substrates, for which accurate and well defined substrate thickness for the microstrip circuitry is obtained.

integrated circuits

Schottky diodes

submillimeter wave

wafer bonding.

heterostructure barrier varactors (HBVs)

Epitaxial transfer

Författare

Aleksandra Malko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Vladimir Drakinskiy

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Peter Sobis

Omnisys Instruments

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

GigaHertz Centrum

2015 Asia-Pacific Microwave Conference

Vol. 1

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.1109/APMC.2015.7411749

ISBN

978-1-4799-8765-8

Mer information

Senast uppdaterat

2018-09-06