Performance Enhancement of Microwave GaN HEMTs Without an AlN-Exclusion Layer Using an Optimized AlGaN/GaN Interface Growth Process
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2016
AlGaN/GaN interface
interface sharpness
GaN high-electron mobility transistor (HEMT)
Författare
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
J. T. Chen
Linköpings universitet
Sebastian Gustafsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Urban Forsberg
Linköpings universitet
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
E. Janzen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 63 1 333-338 7342923Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/ted.2015.2501838