Effect of Schottky layer thickness on DC, RF and noise of 70-nm gate length InP HEMTs
Paper i proceeding, 2006

Författare

Mikael Malmkvist

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Malin Borg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 386-388

329-331

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06