High field effect electron mobility in Si face 4H-SiC MOSFET
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004

Författare

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

Electronics Letters

Vol. 40 508-510

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08