High field effect electron mobility in Si face 4H-SiC MOSFET
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2004

Författare

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

Publicerad i

Electronics Letters

Vol. 40 s. 508-510

Kategorisering

Ämneskategorier (SSIF 2011)

Elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08