Optimum barrier thickness study for the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactor diodes
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

This experimental study aims at finding the optimum barrier thickness in heterostructure barrier varactor (HBV) diodes to improve the diode efficiency especially for high-power frequency multiplier applications. The influence of barrier thickness on the destructive current leaking over and through the barrier is investigated for different biases and operating temperatures. The authors found that for an InP-based HBV, there is an optimum barrier thickness range between 10 to 14 nm which causes the lowest possible leakage current.

varactors

leakage currents

aluminium compounds

III-V semiconductors

indium compounds

gallium arsenide

Författare

Arezoo Emadi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Tomas Bryllert

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Josip Vukusic

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågs- och terahertzteknologi

Applied Physics Letters

0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)

Vol. 90 1 012108-3

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1063/1.2430632