Optimum barrier thickness study for the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactor diodes
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007
This experimental study aims at finding the optimum barrier thickness in heterostructure barrier varactor (HBV) diodes to improve the diode efficiency especially for high-power frequency multiplier applications. The influence of barrier thickness on the destructive current leaking over and through the barrier is investigated for different biases and operating temperatures. The authors found that for an InP-based HBV, there is an optimum barrier thickness range between 10 to 14 nm which causes the lowest possible leakage current.
varactors
leakage currents
aluminium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
gallium arsenide
Författare
Arezoo Emadi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi
Tomas Bryllert
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi
Mahdad Sadeghi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Josip Vukusic
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi
Publicerad i
Applied Physics Letters
0003-6951 (ISSN) 1077-3118 (eISSN)
Vol. 90 Nummer/häfte 1 s. 012108-3 art. nr 012108Kategorisering
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
DOI
10.1063/1.2430632