Large-Signal Modelling and Comparison of AlGaN/GaN HEMTs and SiC MESFETs
Paper i proceeding, 2006

The Large Signal (LS) model for GaN and SiC FET devices was developed and evaluated with DC, S, and LS measurements. Special attention was paid to improve the management of harmonics and provide. a more physical treatment of the dispersion. The model was implemented in a commercial CAD tool and exhibit good overall accuracy.

FET LS models

Författare

Iltcho Angelov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

D Schreuers

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Vincent Desmaris

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE Asia PAcific Microwave Conference, 2006, Yokohama, Japan

279-282

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

ISBN

978-4-902339-11-6

Mer information

Skapat

2017-10-07