Two-finger InP HEMT design for stable cryogenic operation of ultra-low-noise Ka-band LNAs
Paper i proceeding, 2017

We have investigated the cryogenic stability of two-finger InP HEMTs aimed for Ka-band ultra-low noise amplifiers (LNAs). Unlike two-finger transistors with a large gate-width above 2 χ 50 μm, the transistors with a small gate-width exhibit unstable cryogenic behavior. The instability is suppressed by adding a source air-bridge. The stabilizing effect of the air-bridge is demonstrated both on device and circuit level. A three-stage 2440 GHz monolithic microwave integrated circuit (MMIC) LNA using a stabilized 100-nm HEMT technology is presented. The amplifier achieves a record noise temperature of 7 K at 25.6 GHz with an average noise of 10.6 K across the whole band at an ambient temperature of 5.5 K. The amplifier gain is 29 dB ± 0.6 dB exhibiting very stable and repeatable operation. To our knowledge, this amplifier presents the lowest noise temperature reported so far for InP cryogenic LNAs covering the Ka-band.

Wideband

Stability

MMICs

Low-noise amplifiers

Cryogenic

HEMTs

Författare

Eunjung Cha

Gigahertzcentrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Giuseppe Moschetti

Low Noise Factory AB

Forskning Andra publikationer

Niklas Wadefalk

Low Noise Factory AB

Forskning Andra publikationer

Per-Åke Nilsson

Gigahertzcentrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

Stella Bevilacqua

SP Sveriges Tekniska Forskningsinstitut AB

Forskning Andra publikationer

A. Pourkabisrian

Low Noise Factory AB

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Gigahertzcentrum

Forskning Andra publikationer

Jan Grahn

Gigahertzcentrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Forskning Andra publikationer

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

0149645X (ISSN)

168-171 8058959

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/MWSYM.2017.8058959

Publikationsdata kopplat till DOI

ISBN

978-1-5090-6360-4

Mer information

Senast uppdaterat

2018-11-23

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se eller via telefon 031-772 3744.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Forskningsprojekt på chalmers.se

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE