Test structures for evaluating Al2O3 dielectrics for graphene field effect transistors on flexible substrates
Paper i proceeding, 2018
We have developed a test structure for evaluating the quality of Al2O3 gate dielectrics grown on graphene for graphene field effect transistors on flexible substrates. The test structure consists of a metal/dielectric/ graphene stack on a PET substrate and requires only one lithography step for the patterning of the topside metal electrodes. Results from measurements of leakage current, capacitance and loss tangent are presented.
test structures
hysteresis
leakage current
graphene
loss tangents
capacitance
field effect transistors
Författare
Xinxin Yang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Marlene Bonmann
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Kjell Jeppson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
Vol. 2018-March 75-78
978-1-5386-5069-1 (ISBN)
International Conference on Microelectronic Test Structures
Austin, Texas, USA,
Austin, Texas, USA,
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan materialteknik
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik
DOI
10.1109/ICMTS.2018.8383768