A versatile low-resistance ohmic contact process with ohmic recess and low-temperature annealing for GaN HEMTs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2018
contact resistance
HEMT
ohmic recess
sidewall contact
GaN
gold-free
Författare
Yen-Ku Lin
National Chiao Tung University
Johan Bergsten
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Hector Leong
Linköpings universitet
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jr-Tai Chen
SweGaN AB
Ding-Yuan Chen
SweGaN AB
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Olof Kordina
SweGaN AB
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Edward Yi Chang
National Chiao Tung University
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Publicerad i
Semiconductor Science and Technology
0268-1242 (ISSN) 1361-6641 (eISSN)
Vol. 33 Nummer/häfte 9 art. nr 095019Kategorisering
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Tribologi
Bearbetnings-, yt- och fogningsteknik
Annan materialteknik
Identifikatorer
DOI
10.1088/1361-6641/aad7a8