Graphene field-effect transistors with high extrinsic fT and fmax
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2019
transit frequency
scaling
graphene
maximum frequency of oscillation
field-effect transistor
Författare
Marlene Bonmann
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Muhammad Asad
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Xinxin Yang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrey Generalov
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Luca Banszerus
Christoph Stampfer
Martin Otto
Daniel Neumaier
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN)
Vol. 40 1 131-134 8552417Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik (SO 2010-2017, EI 2018-)
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Fysik
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik
DOI
10.1109/LED.2018.2884054